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自旋转矩振荡器

发布日期:2018年11月06日 17:58 点击次数:

时间 11月7日(周三)16:00 地点 中心校区知新楼C座702量子报告厅
本站讯 讲座时间 2018-11-07 16:00:00

一、报告人

刘要稳教授,同济大学物理科学与工程学院

二、报告时间

2018年11月7日(周三)16:00

三、报告地点

知新楼C座702量子报告厅

四、邀请人

颜世申教授

五、报告摘要

在自旋转矩(STT)效应发现20周年之际,随着STT-MRAM存储器研发成功和逐步市场化,STT效应的第二个应用——“自旋转矩纳米振荡器(STNO)”引起学术界和工业界的特别关注。本期讲座将介绍本课题组在自旋振荡器方面的一些近期工作,主要研究了两类STNO:其一是自由层和极化层相互垂直的Perp-STNO振荡器【1】,我们发展了一个“类单摆”理论模型来描述,并研究了多个Perp-STNO的串并联同步问题,以及采用电场辅助下频率键控(FSK)的调制。其二是研究了基于磁滴子(droplet)型STNO的动力学特性【2】,包括droplet边缘自旋波激发模式、磁滴子的融合问题、同步问题等。

[1] Hao-Hsuan Chen, et al,RRB 93, 224410(2016);JAP 121, 013902 (2017); JMMM. 452, 458 (2018);

[2] Dun Xiao,et al., PRB93, 094431(2016); PRB,95, 024106 (2017).

六、报告人简介

刘要稳, 1971年出生,同济大学教授。2000年在兰州大学获博士学位。IEEE高级会员,中国电子学会应用磁学分会委员;SPIN杂志的编委(2014年起);JMMM杂志的顾问编委(2020-2012年)。主要从事微磁学和自旋电子学领域的相关研究,发表论文80余篇,学术影响h-index=16。目前的研究兴趣包括自旋转矩效应、自旋轨道转矩效应、自旋阀和隧道结磁电阻存储材料及其器件机理和优化设计等。


【作者:颜世申        来自:物理学院    责任编辑:苏雯琳 张丹丹  】

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