［本站讯］11月4日，华中科技大学王兴晟教授受邀访问信息学院并作题为“TCAD建模与CMOS器件随机涨落”的科技通识讲座。

王兴晟教授对CMOS器件的随机涨落做了一个综合性的介绍，并简单说明了几种主要的建模方法。他就集成电路发展的研究背景、摩尔定律、以及随机涨落的主要物理根源进行讲解，还展示了团队近十年的研究努力与初步成果，其中包括对于纳米FINFET的随机可变性的理解以及设计与工艺协同优化方法论的建立。除此之外，他还介绍了金属栅颗粒性等的几种建模方法和随机涨落熟知的统计紧凑模型，说明了TCAD工具在工作中的重要性，并对相关产业的未来发展进行了展望。王兴晟教授指出，统计可变性或者随机涨落正日益严重威胁纳米器件集成与电路设计，怎样理解与控制可变性并提升器件性能电路良率，已经成为学术界和工业界的重要科学任务。报告结束后，王兴晟教授就同学们提出的建模相关问题进行解答。

王兴晟，华中科技大学光电信息学院教授，湖北省百人计划入选者。2010年7月获英国格拉斯哥大学博士学位。随后就职于格拉斯哥大学；2016年5月入职于新思科技，任高级工程师；2018年2月回国，任华中科技大学教授。研究方向主要包括：微纳电子器件与系统、随机涨落可变形与可靠性、器件电路协同优化设计、类脑计算等。在电子器件著名期刊和会议IEEE T-ED、EDL、IEDM等发表论文70余篇，包括两个T-ED封面。IEEE高级会员，并担任多个期刊审稿人。