［本站讯］11月1日，Soitec公司高级研究员Bich-Yen Nguyen受邀访问信息学院并作题为“FD-SOI是如何革新下一代微电子技术的：物联网、汽车和移动连接应用（How FD-SOI is revolutionizing next-gen microelectronics: IoT, automotive and mobile connectivity applications）”的科技通识讲座。

Bich-Yen Nguyen研究员说明了全耗尽型硅绝缘体(FD-SOI)的优势。她简单介绍了FD-SOI，并指出超薄埋入氧化物上的FD-SOI器件可以使具有10nm节点的独特体偏性能的平面半导体器件变得有可扩展性。她还详细介绍了FD-SOI技术所带来的优势，包括最佳的能源效率，最高的综合射频性能，可以用来延长电池寿命和物联网可靠性的超低电压能力，以及汽车和移动连接应用等。她指出，FD-SOI现在是主流技术，相关行业者应该利用主要的竞争优势，她对相关产业的未来发展进行了展望。报告结束后，Bich-Yen Nguyen研究员详细解答了现场同学提出的问题。

Bich-Yen Nguyen， Soitec高级研究员，支持新设备领域和应用的技术开发。负责Soitec的FD-SOI设备技术。在加入Soitec之前，担任飞思卡尔半导体公司的高级经理，也是飞思卡尔/摩托罗拉丹诺贝尔中心的研究员。在飞思卡尔/摩托罗拉先进集成电路产品的CMOS技术开发方面的领导和研究获得认可。自1980年以来，Bich-Yen的理论在将工艺技术转移到生产过程中发挥了重要作用。她获得的荣誉和奖项包括2003年获得摩托罗拉最高技术奖和创新及科技硕士奖，2004年获得国家首届“科技女性终身成就奖”。拥有185项已颁发的专利，并撰写了200多篇关于IC工艺、集成和器件技术的技术论文。