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台湾交通大学庄绍勋教授来山东大学青岛校区举行讲座

发布日期:2018年11月07日 18:50 点击次数:

[本站讯]11月4日上午,台湾交通大学庄邵勋教授来青岛校区进行学术交流,并为信息学院师生作了题为“The discovery of third breakdown:implications and applications for transistor and nonvolatile memory in HKMG CMOS generations”的通识讲座。讲座由信息学院陈杰智教授主持。

报告伊始,庄邵勋教授向大家介绍了什么是CMOS电子元件的击穿,以及泄漏电流和击穿位置的观测方法——RTN。他谈到,RTN的特征是载波捕获发射的时间常数,以及阈值电压的相关变化。由于阱的活动被投射到阈值电压上,所以每个阱的时间常数和振幅的分离是一个不适定问题。RTN可以用来研究高k栅极介质MOSFET器件中的陷阱和去陷阱行为。随后,庄邵勋教授介绍了双捕集器(multi-trap) RTN技术的基本原理。该方法利用能反映RTN物理生成过程的统计方法实现,利用统计机器学习社区开发的Gibbs sampling算法,将测量到的阈值电压序列分解为每个陷阱的时间常数和振幅,解决了单纯RTN的缺点。最后,庄邵勋教授向大家介绍了什么是新发现的第三种击穿——介质熔断器击穿(dFuse),以及第三种击穿在工程中的实际应用以及如何理解这项技术在ReRAM成膜过程中的应用。讲座结束后,庄绍勋教授对同学们提出的疑问进行了耐心解答。

庄绍勋教授(Professor Steve S. Chung),台湾交通大学电子工程系教授、南洋理工大学及国立交通大学联会讲座教授,EECS荣誉项目(2004-2005)的第一任系主任,国际事务办公室主任,IEEE院士、IEEE杰出讲师、J-EDS编辑、EDS台北分会应用物理编辑、EDS行政总监。他在伊利诺伊大学电气工程学院获得理学博士学位;最近的研究领域为FinFET、TFET器件技术,非易失性存储器技术和器件可靠性和表征;曾担任世界上最大的两家集成电路制造商台积电(TSMC)和联电(UMC)的顾问;曾担任IEEE EDS董事超过12年;出席IEDM和VLSI超过27次,拥有40多项专利;获得国家科学委员会3次杰出研究奖(最高)、杰出PI、杰出NSC研究员。


【供稿单位:信息学院    作者:李文阳    摄像:戴子翔         编辑:新闻中心总编室    责任编辑:郭胜楠 王莉莉  】

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