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育晶论坛第31期:氮化镓体单晶生长

发布日期:2024年12月02日 08:59 点击次数:

时间 12月4日(星期三)9:30 地点 线上线下相结合
本站讯 讲座时间 2024-12-04 09:30:00

[本站讯]为树牢师生创新意识,营造浓厚学术氛围,紧跟学术前沿,把握行业动态,集成攻关大平台与晶体材料国家重点实验室共同设立“育晶论坛”系列活动。每期论坛邀请领域内杰出专家学者开展主题讲座。

一、讲座题目

同步辐射谱学表征技术在能源材料领域的应用研究

二、主讲人

刘强 博士

三、主讲人简介

北京大学东莞光电研究院院长助理,日本名古屋大学天野浩研究室博士,北京大学物理学院博士后,中镓半导体科技有限公司技术顾问,连续十余年从事第三代半导体相关工作,涵盖材料生长设备设计、晶体生长和器件制备,积累大量科研成果与经验,参与国家重点研发计划重点专项“GaN单晶衬底材料制备产业化技术”、广东省区域联合基金青年基金项目“氢化物气相外延法制备高质量氮化镓自支撑衬底的研究”、广东省基础与应用基础研究重大项目“基于离子束剥离技术的大尺寸金刚石基氮化镓异质集成电子器件研究”等项目的研发工作,发表高质量论文近10篇,参与国际与国内学术会议并作报告近10次,申请专利15件,授权5件。

四、主讲内容

氮化镓由于其性能优异被广泛应用于光电、功率和射频领域,然而由于高质量氮化镓体单晶制造成本高昂目前仅有少数应用使用氮化镓单晶衬底。目前有多种制造氮化镓体单晶的技术,包括氨热法、钠助熔剂法、以及卤化物气相外延法。

本报告内容包括:目前产业主流的GaN单晶衬底制备方法,正在研发中的下一代GaN单晶制备方案,以及北京大学东莞光电研究院在研的GaN单晶生长技术进展。

五、主持人

穆文祥 副教授

六、讲座时间

2024年12月4日(周三)9:30

七、讲座地点

山东大学中心校区半导体研发大楼第一会议室

腾讯会议


【作者:刘莹莹    来自:新一代半导体材料研究院    编辑:新闻网工作室    责任编辑:蒋晓涵 陈利钊  】

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