［本站讯］近日，第68届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)举行，山东大学信息科学与工程学院教授陈杰智课题组的研究论文“Temperature-dependent Defect Behaviors in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film: Re-wakeup Phenomenon and Underlying Mechanisms”在大会上发表。山东大学信息科学与工程学院为论文第一作者单位，2021级硕士研究生李晓鹏为第一作者，陈杰智教授和武继璇研究员为共同通讯作者。从2017年首发闪存芯片相关论文以来，陈杰智教授课题组已经有8篇研究论文入选IEDM，按第一作者所在单位统计，山东大学在IEDM大会发文总量在北京大学、清华大学、浙江大学之后列居中国内地高校第四。

新型氧化铪基铁电材料因其极佳的微缩特性和CMOS工艺兼容性，近十年来一直是学术界和工业界关心的研究热点，也是后摩尔时代存储器三维集成技术研发的核心材料之一。课题组与中科院微电子所、东京大学合作，通过对7nm铪锆氧铁电电容器在宽温(300K~420K)范围内的高精度电学可靠性测试，首次在实验上观测到高温电场循环过程中的再唤醒现象。研究发现，晶界处缺陷相关的电畴钉扎与解钉扎是疲劳与再唤醒的重要原因，而再唤醒后的极化窗口具有极佳的抗疲劳特性。基于对温度相关缺陷行为的深入理解，论文进一步提出了可有效延长氧化铪基铁电存储器寿命的协同设计优化策略。

该研究工作得到了国家基金委重点项目、重大研究计划项目、面上项目，山东省自然科学基金以及山东大学齐鲁青年学者项目等科研项目的资助。

IEDM始于1955年，是全球报道半导体及电子器件领域最新的科技、设计、制造、物理及建模的主要论坛，也是世界半导体产业界各知名企业和学术机构报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台。IEDM在国际半导体和集成电路领域的学术界以及工业界享有很高的学术地位和广泛影响，每年Intel、IBM、Samsung、IMEC和台积电等国际知名半导体公司以及世界知名高校都会都在IEDM大会上发布各自最新研究进展。